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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
47
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2489
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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