RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2808
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link