RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2808
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link