RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3164
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link