RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2791
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link