RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2942
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link