RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
69
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2942
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link