RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3500
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link