RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
63
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
45
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3297
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link