RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3062
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link