RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2968
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link