RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3731
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link