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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
11.4
17.4
写入速度,GB/s
7.7
18.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3731
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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