RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.7
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3731
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link