RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link