RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
65
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link