RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3047
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link