RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
73
Wokół strony -232% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3310
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link