RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2789
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link