RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2271
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link