RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2271
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link