RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
36
Около -16% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
11.0
Скорость записи, Гб/сек
10.3
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2271
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link