RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
31
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
11.0
Скорость записи, Гб/сек
12.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2271
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link