Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Maxsun MSD44G24Q0 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 66

Около 58% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.5 7.4

Среднее значение в тестах

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Причины выбрать
Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.5 12.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 66
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 15.5
Скорость записи, Гб/сек

7.5 7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 1812

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB

G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB

Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

модули RAM