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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Comparar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
31
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
31
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
8.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
2271
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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