RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3076
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link