RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3167
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link