RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3167
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link