RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3167
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link