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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
16.9
写入速度,GB/s
2,622.0
11.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3167
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
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