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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
73
左右 -232% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
22
读取速度,GB/s
3,510.5
18.8
写入速度,GB/s
1,423.3
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3310
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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