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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
20.1
写入速度,GB/s
8.8
16.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
3823
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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