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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,168.0
15.6
写入速度,GB/s
1,855.7
10.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3005
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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