RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
总分
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
96
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,336.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
96
32
读取速度,GB/s
2,725.2
11.3
写入速度,GB/s
1,336.0
9.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
438
2395
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link