RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
73
En -232% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3310
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link