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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
92
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
28
读取速度,GB/s
2,105.4
18.2
写入速度,GB/s
1,266.1
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3633
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
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