RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2974
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link