RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
4084
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link