RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3859
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link