RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
4167
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link