RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
33
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
14
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
4182
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link