RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3731
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link