RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3772
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link