RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2545
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link