RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
2283
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link