RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3266
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link