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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.6
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
8.0
19.6
写入速度,GB/s
7.3
14.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3266
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
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