RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
43
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2776
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link