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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
43
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
43
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2776
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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