RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2474
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link