RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2474
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link